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Configuración de memoria

El rendimiento de memoria depende de un número de variables, como modalidad de memoria, velocidad de memoria, filas de memoria, llenado de memoria y procesador.

Hay más información sobre la optimización del rendimiento de memoria y configuración de la memoria disponible en el sitio web de Lenovo Press.

Memoria - Lenovo Press

Además, puede aprovechar una herramienta configuradora de memoria, que está disponible en el siguiente sitio:

Lenovo Enterprise Solutions Configurator

Para obtener información específica acerca del orden de instalación requerido para los módulos de memoria en su servidor, según la configuración del sistema y el modo de memoria que está implementando, consulte Reglas y orden de instalación de un módulo de memoria.

  • Modo de memoria independiente
    El modo de memoria independiente proporciona el mayor nivel de rendimiento de la memoria, pero no posee la protección de conmutación por error.
  • Duplicado de memoria
    El modo de duplicación de memoria proporciona redundancia de memoria completa a la vez que reduce la capacidad de memoria total del sistema a la mitad. Los canales de memoria se agrupan en pares con cada canal que recibe los mismos datos Si se produce un error, el controlador de memoria cambia de los DIMM del canal principal a los DIMM del canal de copia de seguridad.
  • Recambio de memoria
    En el modo de recambio de memoria, una fila de memoria sirve como repuesto para otras filas en el mismo canal por si fallan. La fila de recambio se mantiene en reversa y no se utiliza como memoria activa hasta que se indica un error, con la capacidad reservada restada de la memoria total disponible en el sistema. Después de sobrepasar el umbral de error en un sistema protegido por el recambio de memoria, el contenido una fila de DIMM fallida se copia en la fila de repuesto. La fila fallida se coloca fuera de línea, y la fila de repuesto se pone en línea para su uso como memoria activa en el lugar de la fila que falló. Ya que el proceso de conmutación por error involucra copiar los contenidos de la memoria, el nivel de redundancia de memoria que proporciona el recambio de memoria es menor que el que proporciona el duplicado de memoria: el duplicado de memoria es la protección contra fallos preferida para aplicaciones críticas.
  • Configuración de DC Persistent Memory Module (DCPMM)
    Siga las instrucciones de esta sección para configurar los DIMM de DCPMM y DRAM.