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Orden de instalación del modo de memoria independiente

En el modo de memoria independiente, los canales de memoria se pueden rellenar con DIMM en cualquier orden y puede llenar todos los canales para cada procesador en cualquier orden sin requisitos de coincidencia. El modo de memoria independiente proporciona el mayor nivel de rendimiento de la memoria, pero no posee la protección de conmutación por error. El orden de instalación de DIMM para el modo de memoria independiente varía de acuerdo con el número de procesadores y módulos de memoria instalados en el servidor.

Directrices del modo de memoria independiente:
  • Los canales individuales de memoria pueden funcionar a diferentes sincronizaciones de DIMM, pero todos los canales deben funcionar en la misma frecuencia de interfaz.

  • Llene primero el canal de memoria 0.

  • En cada canal de memoria, llene primero la ranura 0.

  • El canal de memoria 1 está vacío o se llenó de forma idéntica al canal de memoria 0.

  • El canal de memoria 2 está vacío o se llenó de forma idéntica al canal de memoria 1.

  • Si un canal de memoria tiene dos DIMM, llene el DIMM con un número más alto de filas en la ranura 0.

  • No se permite mezclar DIMM con capacidades distintas. Todos los DIMM que se instalarán deben ser idénticos.

Secuencia de llenado de memoria de modo independiente

SD650-N V3 admite solo procesadores completos (dos procesadores por nodo).

Tabla 1. Secuencia de llenado de memoria en modo independiente
Procesador 1Procesador 2
iMCiMC1iMC0iMC2iMC3iMC3iMC2iMC0iMC1
Canal de memoria1010010110100101
Número de ranura de DIMM12345678910111213141516
16 DIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMMDIMM
Nota
  • Se admite la organización en clústeres de Sub NUMA 2 (SNC2) y se puede habilitar en UEFI.

  • Se admite Software Guard Extensions (SGX). Consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.