Saltar al contenido principal

Modo de memoria independiente

En el modo de memoria independiente, los canales de memoria se pueden rellenar con DIMM en cualquier orden. Todos los canales de cada procesador se pueden rellenar en cualquier orden y no tienen requisitos de coincidencia. El modo de memoria independiente proporciona el mayor nivel de rendimiento de la memoria, pero no posee la protección de conmutación por error. El orden de instalación de DIMM para el modo de memoria independiente varía de acuerdo con el número de procesadores y módulos de memoria instalados en el servidor.

Orden de instalación de módulos de memoria en el modo independiente

Siga las reglas siguientes al instalar los módulos de memoria en el modo independiente:
  • Todos los módulos de memoria deben ser módulos de memoria DDR5.

  • Se requiere al menos un DIMM DDR5 por procesador instalado.

  • Todos los módulos de memoria DIMM DDR5 deben funcionar a la misma velocidad en el mismo sistema.

  • El llenado de memoria debe ser idéntico entre procesadores.

  • Se admiten módulos de memoria de diferentes proveedores.

  • En cada canal de memoria, llene primero la ranura más lejana del procesador (ranura 0).

  • En un sistema no se pueden mezclar 8 DIMM y 4 DIMM.

  • Todos los módulos de memoria que se instalarán deben ser del mismo tipo.

    • 9x4 RDIMM de valor no se puede mezclar con no 9x4 RDIMM en un sistema.

    • El RDIMM 3DS no se puede mezclar con RDIMM que no son 3DS en un sistema.

  • Todos los módulos de memoria de un sistema deben tener el mismo número de filas, excepto para las condiciones siguientes:

    • Los RDIMM de una fila se pueden mezclar con RDIMM de dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador (es decir, 16 o 32 DIMM en total).

    Nota
    Puede que el sistema se congele en POST en un servidor que está funcionando en esta configuración. En este caso, póngase en contacto con el servicio de Lenovo para sustituir el DIMM que ha fallado para que funcione correctamente.

     

  • Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.

Con un procesador

Tabla 1. Modo de memoria independiente con un procesador
  • Procesador 1
  • Total de DIMM
12345678910111213141516
  • 1
  • DIMM
         10      
  • 2
  • DIMM
  3      10      
  • 4
  • DIMM1
  3   7  10   14  
  • 6
  • DIMM
  3 5 7  10   14 16
  • 8
  • DIMM1,2
1 3 5 7  10 12 14 16
  • 12
  • DIMM
1 345 78910 121314 16
  • 16
  • DIMM1,2,3
12345678910111213141516
Nota
  1. La característica de organización en clústeres de Sub NUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La característica SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.
  2. Para conocer las configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

  3. En ThinkSystem ST650 V3, se admite la mezcla de filas entre RDIMM de una y dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador. Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.

Con dos procesadores

Tabla 2. Modo Independiente con dos procesadores
  • Procesador 1
  • Total de DIMM
12345678910111213141516
  • 1
  • DIMM
         10      
  • 2
  • DIMM
  3      10      
  • 4
  • DIMM1
  3   7  10   14  
  • 6
  • DIMM
  3 5 7  10   14 16
  • 8
  • DIMM1,2
1 3 5 7  10 12 14 16
  • 12
  • DIMM
1 345 78910 121314 16
  • 16
  • DIMM1,2
12345678910111213141516
  • Procesador 2
  • Total de DIMM
32313029282726252423222120191817
  • 2
  • DIMM
         23      
  • 4
  • DIMM1
  30      23      
  • 8
  • DIMM1,2
  30   26  23   19  
  • 12
  • DIMM
  30 28 26  23   19 17
  • 16
  • DIMM1,2,3
32 30 28 26  23 21 19 17
  • 24
  • DIMM
32 302928 26252423 212019 17
  • 32
  • DIMM1,2,3
32313029282726252423222120191817

Nota
  1. La característica de organización en clústeres de Sub NUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La característica SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.
  2. Para conocer las configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

  3. En ThinkSystem ST650 V3, se admite la mezcla de filas entre RDIMM de una y dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador. Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.