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Modo de memoria independiente

En el modo de memoria independiente, los canales de memoria se pueden rellenar con DIMM en cualquier orden. Todos los canales de cada procesador se pueden rellenar en cualquier orden y no tienen requisitos de coincidencia. El modo de memoria independiente proporciona el mayor nivel de rendimiento de la memoria, pero no posee la protección de conmutación por error. El orden de instalación de DIMM para el modo de memoria independiente varía de acuerdo con el número de procesadores y módulos de memoria instalados en el servidor.

Orden de instalación de módulos de memoria en el modo independiente​

Siga las reglas siguientes al instalar los módulos de memoria en el modo independiente:

  • Todos los módulos de memoria deben ser módulos de memoria DDR5.

  • Se requiere al menos un DIMM DDR5 por procesador instalado.

  • Todos los módulos de memoria DIMM DDR5 deben funcionar a la misma velocidad en el mismo sistema.

  • El llenado de memoria debe ser idéntico entre procesadores.

  • Se admiten módulos de memoria de diferentes proveedores.

  • En cada canal de memoria, llene primero la ranura más lejana del procesador (ranura 0).

  • En un sistema no se pueden mezclar 8 DIMM y 4 DIMM.

  • Todos los módulos de memoria que se instalarán deben ser del mismo tipo.

    • 9x4 RDIMM de valor no se puede mezclar con no 9x4 RDIMM en un sistema.

    • El RDIMM 3DS no se puede mezclar con RDIMM que no son 3DS en un sistema.

  • Todos los módulos de memoria de un sistema deben tener el mismo número de filas, excepto para las condiciones siguientes:

    • Los RDIMM de una fila se pueden mezclar con RDIMM de dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador (es decir, 16 o 32 DIMM en total).

      Nota
      Puede que el sistema se congele en POST en un servidor que está funcionando en esta configuración. En este caso, póngase en contacto con el servicio de Lenovo para sustituir el DIMM que ha fallado para que funcione correctamente.

    • Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.

  • La memoria de 4800 MHz solo se admite con procesadores escalables Intel Xeon de 4.ª generación. La memoria de 5600 MHz solo se admite con procesadores escalables Intel Xeon de 5.ª generación.

  • Los RDIMM de 24 Gb DRAM (48 GB/96 GB) no se pueden mezclar con RDIMM de 16 Gb DRAM (16 GB/32 GB/64 GB) en un sistema.

  • Antes de instalar los RDIMM de 24 Gb DRAM en un sistema con procesadores escalables Intel Xeon de 4.ª generación, asegúrese de, primero, actualizar el firmware de UEFI a la versión más reciente y luego quitar todos los RDIMM de 16 Gb DRAM.

Con un procesador​

Tabla 1. Modo de memoria independiente con un procesador
  • Procesador 1
  • Total de DIMM
12345678910111213141516
  • 1
  • DIMM
         10      
  • 2
  • DIMM4
  3      10      
  • 4
  • DIMM1,4
  3   7  10   14  
  • 6
  • DIMM
  3 5 7  10   14 16
  • 8
  • DIMM1,2
1 3 5 7  10 12 14 16
  • 12
  • DIMM5
1 345 78910 121314 16
  • 16
  • DIMM1,2,3,5
12345678910111213141516
Nota
  1. La función de organización en clústeres de Sub NUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La función SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.

  2. Para conocer las configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

  3. En ThinkSystem ST650 V3, se admite la mezcla de filas entre RDIMM de una y dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador. Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.

  4. Esta configuración no admite DIMM de 24 Gbit (48 GB, 96 GB) (para procesadores Intel de 5.ª generación).

  5. Esta configuración no admite la capacidad: 48 GB (para procesadores Intel de 5.ª generación).

Con dos procesadores​

Tabla 2. Modo Independiente con dos procesadores
  • Procesador 1
  • Total de DIMM
12345678910111213141516
  • 2
  • DIMM
          10      
  • 4
  • DIMM1
  3      10      
  • 8
  • DIMM1,2
  3   7  10   14  
  • 12
  • DIMM
  3 5 7  10   14 16
  • 16
  • DIMM1,2
1 3 5 7  10 12 14 16
  • 24
  • DIMM
1 345 78 910 121314 16
  • 32
  • DIMM1,2
12345678910111213141516
  • Procesador 2
  • Total de DIMM
32313029282726252423222120191817
  • 2
  • DIMM
         23      
  • 4
  • DIMM1,4
  30      23      
  • 8
  • DIMM1,2,4
  30   26  23   19  
  • 12
  • DIMM
  30 28 26  23   19 17
  • 16
  • DIMM
32 30 28 26  23 21 19 17
  • 24
  • DIMM5
32 302928 26252423 212019 17
  • 32
  • DIMM1,2,3,5
32313029282726252423222120191817

Nota
  1. La función de organización en clústeres de Sub NUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La función SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.

  2. Para conocer las configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

  3. En ThinkSystem ST650 V3, se admite la mezcla de filas entre RDIMM de una y dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para cada procesador. Consulte Modo de memoria independiente con mezcla de filas para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.

  4. Esta configuración no admite DIMM de 24 Gbit (48 GB, 96 GB) (para procesadores Intel de 5.ª generación).

  5. Esta configuración no admite la capacidad: 48 GB (para procesadores Intel de 5.ª generación).