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Modo de memoria independiente

El modo de memoria independiente proporciona una capacidad de memoria de alto rendimiento. Los canales de memoria se pueden llenar con un módulo de memoria en cualquier orden en el modo independiente. Puede llenar los ocho canales de cada procesador en cualquier orden y no tienen requisitos de coincidencia. Los canales individuales pueden funcionar a diferentes sincronizaciones de módulos de memoria, pero todos los canales deben funcionar en la misma frecuencia de interfaz.

Reglas de llenado​

  1. No combine RDIMM y RDIMM 3DS.

  2. Debe haber al menos un módulo de memoria por procesador.

  3. Debe haber el mismo número de módulos de memoria para cada tipo de memoria.

  4. Llenados de memoria idénticos en todos los procesadores.

  5. Los módulos de memoria x4 y x8 se pueden combinar en el mismo canal.

Directriz de capacidad de módulo de memoria​

En el modo de memoria independiente, el sistema se puede instalar con hasta dos tipos de capacidad de memoria.

Atención

Los números de módulos de memoria se dividen en dos grupos, cada uno de los cuales se debe llenar con módulos de memoria de la misma capacidad:

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 2, 4, 5, 7, 10, 12, 13 y 15.

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 1, 3, 6, 8, 9, 11, 14 y 16.

  • Consulte la sección Tabla 2 para obtener más información.
En el modo de memoria independiente, hay cuatro tipos de secuencias de llenado del módulo de memoria que se indican a continuación. Consulte la secuencia de configuración del módulo de memoria que coincide con la configuración del nodo de cálculo.

Con un procesador y módulos de memoria con la misma capacidad​

En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para un procesador y módulos de memoria con la misma capacidad.

Tabla 1. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para un procesador con módulos de memoria con la misma capacidad
ProcesadorProcesador 1
Número de ranura del módulo de memoria12345678
Número total de módulos de memoria1 2      
2 2 4    
4* 2 45 7 
612 45 78
8*†12345678
Nota

*La función de organización en clústeres subNUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La función SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.

†Configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

Con un procesador y módulos de memoria con distinta capacidad​

En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para un procesador y módulos de memoria con distinta capacidad.

Atención

Los números de módulos de memoria se dividen en dos grupos, cada uno de los cuales se debe llenar con módulos de memoria de la misma capacidad:

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 2, 4, 5, 7, 10, 12, 13 y 15.

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 1, 3, 6, 8, 9, 11, 14 y 16.

  • Consulte la sección Tabla 2 para obtener más información.
Tabla 2. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para un procesador con módulos de memoria con distinta capacidad
ProcesadorProcesador 1
Número de ranura del módulo de memoria12345678
Número total de módulos de memoria2 23    
4 23  67 

Con dos procesadores y módulos de memoria con la misma capacidad​

En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para dos procesadores y módulos de memoria con la misma capacidad.

Tabla 3. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para dos procesadores con módulos de memoria con la misma capacidad
ProcesadorProcesador 1Procesador 2
Número de ranura del módulo de memoria12345678910111213141516
Número total de módulos de memoria2 2     15 
4 2 4   13 15 
8* 2 45 7 10 1213 15 
1212 45 78910 1213 1516
16*†12345678910111213141516
Nota

*La función de organización en clústeres subNUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La función SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.

†Configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte Habilitar Software Guard Extensions (SGX) para habilitar esta característica.

Con dos procesadores y módulos de memoria con distinta capacidad​

En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para dos procesadores y módulos de memoria con distinta capacidad.

Atención

Los números de módulos de memoria se dividen en dos grupos, cada uno de los cuales se debe llenar con módulos de memoria de la misma capacidad:

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 2, 4, 5, 7, 10, 12, 13 y 15.

  • Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 1, 3, 6, 8, 9, 11, 14 y 16.

  • Consulte la sección Tabla 2 para obtener más información.
Tabla 4. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para dos procesadores con módulos de memoria con distinta capacidad
ProcesadorProcesador 1Procesador 2
Número de ranura del módulo de memoria123456789101112131415c
Número total de módulos de memoria4 23         1415 
8 23  67 1011  1415